IMS已经利用制造工艺把以前的尺寸水平降低几个数量级，从而在对电路进行集成之前，在晶圆表面下相距几微米的深度中形成准芯片(chip-to-be)下的一系列空穴。

    在顶层中的电路被形成之后，借助于芯片下面的空穴，可以把芯片从晶圆表面上分离开，而不是从薄晶圆片上切出芯片。

    硅晶圆在加工过程中通常具有大约1微米的厚度，以提供足够的机械稳定性和硬度，从而让自动化硅加工线能够可靠地对其进行处理。最近，市场上已经出现了对超薄芯片的兴趣，其应用包括嵌入到纸张、柔性的金属薄片以及堆叠到三维电路之中。

    传统上，如此薄的芯片都是在处理后通过对晶圆背面的碾磨和抛光来实现的，并且要在把芯片切割出去之前完成。这样的处理使典型的最小芯片厚度为200微米。采用IMS的技术，晶圆仍然具有满足加工要求的足够的机械稳定性，但是，在电路下面的空穴形成了一条人们想要的可折断的“点线”，以便把裸片从晶圆上分离出来。

    IMS称大块晶圆的作用是充当众多芯片的载体，并且可以再生利用，从而降低了成本。这种新颖的工艺技术将于2006年12月在三番市举行的IEDM上作为最新论文呈现给与会代表。